凈化工程的溫濕度主要根據(jù)工藝要求確定，但在滿足工藝要求的情況下，應(yīng)考慮人的舒shi性。隨著空氣清潔度要求的增加，工藝對(duì)溫濕度的要求越來(lái)越嚴(yán)格。未來(lái)將列出具體工藝對(duì)溫度的要求，但作為一般原則，由于加工精度越來(lái)越精細(xì)，對(duì)溫度波動(dòng)范圍的要求也越來(lái)越小。

        例如，在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光過(guò)程中，玻璃和硅片作為掩膜板材料的熱膨脹系數(shù)差異越來(lái)越小。

        硅片直徑為100um，溫度升高1度，導(dǎo)致0.24um線性膨脹。因此，應(yīng)有±0.1度的恒溫。同時(shí)，濕度值一般較低，因?yàn)槿顺龊购髸?huì)污染產(chǎn)品，尤其是怕鈉的半導(dǎo)體凈化工程。這種車間的溫度不能超過(guò)25度，濕度過(guò)高會(huì)造成更多的問(wèn)題。當(dāng)相對(duì)濕度高于55%時(shí)，冷卻水管壁會(huì)結(jié)露。如果發(fā)生在精mi裝置或電路中，會(huì)造成各種事故。當(dāng)相對(duì)濕度為50%時(shí)，很容易生銹。

        此外，當(dāng)濕度過(guò)高時(shí)，附著在硅片表面的灰塵會(huì)被空氣中的水分子化學(xué)吸附，難以去除。相對(duì)濕度越高，附著力越難去除。但當(dāng)相對(duì)濕度低于30%時(shí)，由于靜電的作用，顆粒容易吸附在表面，大量半導(dǎo)體器件容易穿透。硅片生產(chǎn)的良好濕度范圍為35-45%。

        在凈化工程的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)中，要充分利用上述方法，從設(shè)計(jì)到施工，注重效率和產(chǎn)品質(zhì)量，在髙效的前提下進(jìn)行高質(zhì)量的工程建設(shè)。

如何做好清潔衛(wèi)生及保養(yǎng)管理

凈化車間有哪些正規(guī)要求？