凈化工程的溫濕度主要根據工藝要求確定，但在滿足工藝要求的情況下，應考慮人的舒shi性。隨著空氣清潔度要求的增加，工藝對溫濕度的要求越來越嚴格。未來將列出具體工藝對溫度的要求，但作為一般原則，由于加工精度越來越精細，對溫度波動范圍的要求也越來越小。

        例如，在大規模集成電路生產的光刻曝光過程中，玻璃和硅片作為掩膜板材料的熱膨脹系數差異越來越小。

        硅片直徑為100um，溫度升高1度，導致0.24um線性膨脹。因此，應有±0.1度的恒溫。同時，濕度值一般較低，因為人出汗后會污染產品，尤其是怕鈉的半導體凈化工程。這種車間的溫度不能超過25度，濕度過高會造成更多的問題。當相對濕度高于55%時，冷卻水管壁會結露。如果發生在精mi裝置或電路中，會造成各種事故。當相對濕度為50%時，很容易生銹。

        此外，當濕度過高時，附著在硅片表面的灰塵會被空氣中的水分子化學吸附，難以去除。相對濕度越高，附著力越難去除。但當相對濕度低于30%時，由于靜電的作用，顆粒容易吸附在表面，大量半導體器件容易穿透。硅片生產的良好濕度范圍為35-45%。

        在凈化工程的基礎設施建設中，要充分利用上述方法，從設計到施工，注重效率和產品質量，在髙效的前提下進行高質量的工程建設。

如何做好清潔衛生及保養管理

凈化車間有哪些正規要求？